紫光國芯週一在全景網投資者互動平臺上回答投資者提問時介紹，DDR4與DDR3相比，單條容量有很大提高，可以實現較高的容量。另外，頻率和頻寬都有明顯提高。工藝的提高也會降低工作電壓，有利於更低的功耗。

 

同時，關於公司在國內業界、排名情況，紫光國芯介紹，公司的DRAM晶片設計技術處於世界先進水準，國內稀缺，但目前產品產量很小，市場份額不大。

 

針對投資者關於公司DDR4記憶體晶片相比DDR3優勢的詢問，紫光國芯作出上述回應。

 

1月26日紫光國芯在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM記憶體晶元的設計，目前產品委託專業代工廠生產。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM記憶體晶圓的製造能力，公司會考慮與其合作。