美光宣布 GDDR6 完成设计与内部认证,预计2018 年量产

目前市场显示卡所建置的记忆体,从 GDDR5 到 GDDR5X 与 HBM2 都已流行一段时间了,最新的 GDDR6 还没有听到太多消息。如今,美系记忆体大厂美光(Micron)日前宣布,已完成 12Gbps 和 14Gbps GDDR6 的设计和内部认证。美光曾表示,打算在 2018 年上半年量产 GDDR6,现在可让这个计划继续发展下去了。

 

与上一代 GDDR5X 是单频道记忆体相比,GDDR6 将拥有双频道,以及加装 pitch 的 FBGA180 阵列封装,兼容与前代不同的差异。预计未来 GDDR6 推出后,使用者将有完全不同的使用者体验。对美光宣布完成 12Gbps 和 14Gbps GDDR6 的设计和内部认证,业界人士表示,这意味着美光已完成 GDDR6 开发过程中最困难的部分,随后美光应该会将精力转向更高速的 GDDR6 晶片研发。

 

目前美光研发人员正朝着 16Gbps GDDR6 的方向迈进,最大的挑战,不再是资料传输方面,而是储存单元本身。因为 GDDR 标准更新,通常只针对储存单元不断提升的频率。如今资料介面传送速率也不断提升,发展瓶颈就不在资料传输介面部分。

 

美光指出,虽然 GDDR6 将是 2018 年性能最顶尖的显示卡记忆体,但并不意味着 GDDR6 会很快取代 GDDR5,接下来一段时间还会继续生产 GDDR5 显示卡记忆体,如美光现在量产全新 1x 奈米制程 8Gb GDDR5 显示卡记忆体。即使 GDDR6 大规模市场铺货,仍会有段调整期。比起价格高昂的 GDDR6,显然 GDDR5 会更适合现在的主流显示卡。