KLA-Tencor針對7納米以下的IC製造推出五款圖案成型控制系統

KLA-Tencor公司今天針對7納米以下的邏輯和尖端記憶體設計節點推出了五款圖案成型控制系統,以説明晶片製造商實現多重曝光技術和EUV光刻所需的嚴格工藝寬容度。在IC製造廠內,ATL™疊對量測系統和SpectraFilm™ F1薄膜量測系統可以針對finFET、DRAM、3D NAND和其他複雜器件結構的製造提供工藝表徵分析和偏移監控。Teron™ 640e光罩檢測產品系列和LMS IPRO7光罩疊對位元准量測系統可以協助掩模廠開發和認證EUV和先進的光學光罩。5D Analyzer® X1先進資料分析系統提供開放架構的基礎,以支援晶圓廠量身定制分析和即時工藝控制的應用。這五款新系統拓展了KLA-Tencor的多元化量測、檢測和資料分析的系統組合,從而可以從根源上對工藝變化進行識別和糾正。

 

“對於7納米和5納米設計節點,晶片製造商找到產品上疊對誤差,線寬尺寸不均勻和易失效點(hotspots)的明確起因變得越來越困難,” KLA-Tencor公司全球產品集團執行副總裁Ahmad Khan表示:“除了曝光機的校正之外,我們的客戶也在瞭解所有的光罩和晶片工藝步驟變化是如何影響圖案成型的。通過自由提取全製造廠範圍的量測和監測資料,IC工程師可以快速地確定並在發生工藝問題的地方直接控制。我們的系統,例如今天推出的五款系統,將為客戶提供我們最尖端的技術,讓他們的專家能夠降低由每個晶片、光罩和工藝步驟所導致的圖案成型誤差。”

 

支援7納米以下設計節點器件的五個新的圖案成型控制系統包括:

•ATL疊對量測系統採用獨特的可調雷射技術,具有1納米波長解析度,在工藝發生變化的情況下仍然可以自動保持穩定的高精度疊對誤差測量,從而支持快速的技術提升以及生產過程中精確的晶圓處置。
•SpectraFilm F1薄膜量測系統採用全新光學技術,對單層和多層薄膜厚度和均勻性進行高精度測量,用於監測生產中的沉積工藝,並提供頻寬資料,從而無需等到生產線終端測試就可以提早預測器件的電性能。
•Teron 640e光罩檢測系統採用增強的光學系統、檢測器和演算法功能,可以捕捉關鍵的圖案和顆粒缺陷並實現高產量檢測,協助先進的掩模廠推動EUV和光學圖案光罩的開發和認證。
•LMS IPRO7光罩疊對位元准量測系統採用新的操作模式,可以在很短的週期時間內精確測量器件內的光罩圖案放置誤差,從而為電子束掩模製版設備的校正實現了全面的光罩鑒定,並在IC製造廠減少了與光罩相關的器件疊對誤差。
•5D Analyzer X1資料分析系統提供了一個可擴展的開放式架構,可接收來自不同的量測和工藝設備的資料,以實現對全廠範圍內工藝變化的先進分析、表徵和即時控制。

 

ATL、SpectraFilm F1、Teron 640e、LMS IPRO7和5D Analyzer X1是KLA-Tencor獨特的5D圖案成型控制解決方案™的一部分,它還包括用於圖案化晶圓形貌測量,工藝實測,線寬和器件輪廓測量,光刻和圖案成型類比,以及發現關鍵易失效點的系統。全球領先的IC製造商已經在使用ATL,SpectraFilm F1和5D Analyzer X1系統,來支援一系列圖案成型控制的應用。通過升級和新設備安裝,Teron 640e和LMS IPRO7進一步增加了KLA-Tencor在尖端掩模廠中眾多的光罩檢測和量測系統的安裝數量。為了保持IC製造所需要的高性能和高產量,ATL、SpectraFilm F1、Teron 640e、LMS IPRO7和5D Analyzer X1均由KLA-Tencor的全球綜合服務網路提供支援。